技术细节

• 零件状态 Active
• 电容 1000 pF
• 公差 ±15%
• 电压 - 击穿 50 V
• 等效串联电阻 14 mOhms
• 等效串联电感 6pH
• 应用领域 High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond
• 特性 High Reliability, Low Profile
• 工作温度 -55°C ~ 150°C
• 封装 / 外壳 Nonstandard Chip
• 高度 0.005" (0.12mm)
• 尺寸/外形尺寸 0.012" L x 0.012" W (0.29mm x 0.29mm)