技术细节

• 零件状态 Active
• 电容 2700 pF
• 公差 -
• 电压 - 击穿 150 V
• 等效串联电感 -
• 应用领域 High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond
• 特性 Low Profile
• 工作温度 -55°C ~ 150°C
• 封装 / 外壳 Nonstandard Chip
• 高度 0.004" (0.10mm)
• 尺寸/外形尺寸 0.020" L x 0.079" W (0.50mm x 2.00mm)